半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 笠原 正樹; 渡辺 重光; 阪口 伸一; 小野 位 |
| 发表日期 | 1994-01-21 |
| 专利号 | JP1994013697A |
| 著作权人 | ミツミ電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、Al組成比が比較的小さい第一の層と、該第一の層の上に液相結晶成長により形成されたVI族元素をドーピングしたAl組成比が比較的大きい第二の層との界面におけるメルトバックを防止することにより、Al組成比,ドーピング濃度等を最適値に選定して、電子の注入効率を向上せしめ、効率の良い半導体レーザー装置等の半導体装置を提供することを目的とする。 【構成】Al組成比が比較的小さいGaAlAsまたはGaAsから成る第一の層と、該第一の層の上に液相結晶成長により形成されたVI族元素をドーピングしたAl組成比が比較的大きいGaAlAsから成る第二の層とを含んでいる半導体装置において、該第一の層と第二の層との間に、Al割合が第一の層より大きく且つ第二の層より小さいGaAlAsから成る第三の層が形成されているように、半導体装置を構成する。 |
| 公开日期 | 1994-01-21 |
| 申请日期 | 1991-05-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80309]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ミツミ電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 笠原 正樹,渡辺 重光,阪口 伸一,等. 半導体装置. JP1994013697A. 1994-01-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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