半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 粂 雅博; 伴 雄三郎; 木戸口 勲; 上山 智; 辻村 歩; 石橋 明彦; 長谷川 義晃; 宮永 良子 |
| 发表日期 | 2000-03-03 |
| 专利号 | JP2000068599A |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 基板と該基板上に成長する半導体層との各劈開面が異なる場合であっても、半導体層に良好な共振器ミラー面を得られるようにする。 【解決手段】 C面を持つサファイアからなる基板11上にGaNからなるバッファ層12を成長させる。次に、バッファ層12上にSiO2からなるマスク形成膜を堆積した後、マスク部の幅が約100μmで開口部の幅が約0.9mmとなる帯状のパターニングを行なって、マスク形成膜からマスクパターン13を形成する。次に、バッファ層12の上にマスクパターン13を含む全面にわたって、n型GaNからなるn型コンタクト形成層14、n型Al0.1Ga0.9Nからなるn型クラッド層15、In0.15Ga0.85N/In0.02Ga0.98Nからなる多重量子井戸活性層16、及びp型Al0.1Ga0.9Nからなるp型クラッド層17を順次成長させる。 |
| 公开日期 | 2000-03-03 |
| 申请日期 | 1998-08-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80316]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粂 雅博,伴 雄三郎,木戸口 勲,等. 半導体レーザ装置の製造方法. JP2000068599A. 2000-03-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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