半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 浜口 雄一 |
| 发表日期 | 2002-06-28 |
| 专利号 | JP3322001B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 動作電流が低く信頼性の高いリアルインデックスガイド型の半導体レーザを容易、かつ確実に得る。 【構成】 結晶面を主面とする基板11上に、第1導電型のクラッド層12、活性層13、第2導電型の第1のクラッド層141、第2導電型の光ガイド層18、第2導電型の第2のクラッド層142を順にエピタキシーする。つぎにこのエピタキシー層を表面から光ガイド層18を横切るが、活性層13に至らない深さに、結晶軸方向に沿うリッジ19をエッチングで形成する。さらに電流狭窄層17と第3クラッド層143とをエピタキシーして、リッジ19上に、結晶軸に沿う縁部に沿って発生するB結晶面による斜面20S1 および20S2 により挟みこまれた断面3角形の半導体部20を形成する。この半導体部20と分断された少なくとも第1導電型の電流狭窄層17と第2導電型の第3のクラッド層143とを有するエピタキシー層21をリッジ19の両側の溝22に形成する。 |
| 公开日期 | 2002-09-09 |
| 申请日期 | 1994-07-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80328]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浜口 雄一. 半導体レーザの製造方法. JP3322001B2. 2002-06-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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