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光半導体装置

文献类型:专利

作者豊田 幸雄; 若林 信一; 東郷 仁麿
发表日期1993-11-26
专利号JP1993315701A
著作权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体装置
英文摘要【目的】 光半導体素子の高性能化、駆動回路の簡略化、精密調整の不要化、安定化を目的とする。 【構成】 接合部もしくはその一部において活性領域を共有する独立分離された基板10面に垂直な第1の接合A1,A2と、第2の接合B1,B2を設けることにより、第2の接合B1,B2で素子の駆動を第1の接合A1,A2で素子の制御を行なう。
公开日期1993-11-26
申请日期1992-05-12
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80332]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
豊田 幸雄,若林 信一,東郷 仁麿. 光半導体装置. JP1993315701A. 1993-11-26.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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