半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 石橋 明彦; 木戸口 勳; 大田 啓之; 大仲 清司 |
| 发表日期 | 1994-09-22 |
| 专利号 | JP1994268317A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 再結晶界面に欠陥を生成することなくリッジ埋め込み構造を作成し、単一横モード制御型半導体レーザを高歩留まりで製造する。 【構成】 n-GaAs基板1上にn-バッファ層2、n-クラッド層3、活性層4、p-クラッド層5、p-中間層6、p-キャップ層7を順次堆積する。次にSiO2マスク8及びレジストを堆積し、レジストをストライプ状に形成する。ストライプ以外のSiO2マスク8をエッチングする。次にウエット及びドライエッチングによりストライプ部分を除くすべてのp-キャップ層7、p-中間層6、及び一部のp-Pクラッド層5をエッチング除去しリッジ形状にする。SiO2マスク8はエッチングされて、その幅はリッジストライプの幅よりも小さくなり、リッジストライプ形成時にp-キャップ層7のサイドエッチによって生じた隙間を小さくできる。SiO2マスク8の下に欠陥の多いn-GaAs結晶がn-電流狭窄層9から分離して堆積しない。 |
| 公开日期 | 1994-09-22 |
| 申请日期 | 1993-03-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80338]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石橋 明彦,木戸口 勳,大田 啓之,等. 半導体レーザの製造方法. JP1994268317A. 1994-09-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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