中国科学院机构知识库网格
Chinese Academy of Sciences Institutional Repositories Grid
半導体レーザの製造方法

文献类型:专利

作者石橋 明彦; 木戸口 勳; 大田 啓之; 大仲 清司
发表日期1994-09-22
专利号JP1994268317A
著作权人MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザの製造方法
英文摘要【目的】 再結晶界面に欠陥を生成することなくリッジ埋め込み構造を作成し、単一横モード制御型半導体レーザを高歩留まりで製造する。 【構成】 n-GaAs基板1上にn-バッファ層2、n-クラッド層3、活性層4、p-クラッド層5、p-中間層6、p-キャップ層7を順次堆積する。次にSiO2マスク8及びレジストを堆積し、レジストをストライプ状に形成する。ストライプ以外のSiO2マスク8をエッチングする。次にウエット及びドライエッチングによりストライプ部分を除くすべてのp-キャップ層7、p-中間層6、及び一部のp-Pクラッド層5をエッチング除去しリッジ形状にする。SiO2マスク8はエッチングされて、その幅はリッジストライプの幅よりも小さくなり、リッジストライプ形成時にp-キャップ層7のサイドエッチによって生じた隙間を小さくできる。SiO2マスク8の下に欠陥の多いn-GaAs結晶がn-電流狭窄層9から分離して堆積しない。
公开日期1994-09-22
申请日期1993-03-12
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80338]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD
推荐引用方式
GB/T 7714
石橋 明彦,木戸口 勳,大田 啓之,等. 半導体レーザの製造方法. JP1994268317A. 1994-09-22.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

浏览0
下载0
收藏0
其他版本

除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。