半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 阿南 隆由 |
| 发表日期 | 1998-02-06 |
| 专利号 | JP2743664B2 |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 希土類をドープした半導体発光素子の量子効率を向上する。 【構成】 基板に(111)面21を用い、且つ希土類をドープした発光層23に歪を導入する。 【効果】 (111)面上に歪層を積層することによりピエゾ電気効果が生じ、内部電界が発生する。この電界により注入されたキャリアは加速され、大幅な量子効率の増大が可能となる。 |
| 公开日期 | 1998-04-22 |
| 申请日期 | 1991-10-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80384]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿南 隆由. 半導体発光素子. JP2743664B2. 1998-02-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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