半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 塚本 弘範; 谷口 理; 牧野 桜子; 日野 智公; 船戸 健次 |
| 发表日期 | 1999-07-30 |
| 专利号 | JP1999204889A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【課題】 p側電極の寿命とひいては素子寿命の大幅な向上を図ることができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 半導体発光素子において、p型クラッド層9およびその上のp型コンタクト層10、11、12、13をそれぞれストライプ形状に形成し、最上層のp型コンタクト層13とその上のp側電極15との接触界面におけるp型コンタクト層13のストライプ幅をp型クラッド層9の最小ストライプ幅の好ましくは5以上にする。p型クラッド層9または最下層のp型コンタクト層10の断面は順メサ形状、逆メサ形状、矩形の形状などとしp型クラッド層上にストライプ形状の開口を有する絶縁膜を設け、この開口を通じてp型クラッド層に接触するように絶縁膜上にp型コンタクト層を設け、p型コンタクト層とp側電極との接触界面におけるp型コンタクト層のストライプ幅をその開口の最小ストライプ幅の好ましくは5以上にする。 |
| 公开日期 | 1999-07-30 |
| 申请日期 | 1998-05-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80388]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 塚本 弘範,谷口 理,牧野 桜子,等. 半導体発光素子. JP1999204889A. 1999-07-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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