半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 石坂 祥司; 室 清文; 藤本 毅; 山田 義和 |
| 发表日期 | 1995-08-29 |
| 专利号 | JP1995231139A |
| 著作权人 | 三井石油化学工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 従来の弱導波レーザ、LOC(SCH)構造レーザが持っていた導波モードの制御のデバイス設計上のジレンマを克服し、高出力化、放射ビームの低分散化、導波モードの改善等を図る。
【構成】 活性層の両側に、前記活性層の導波機能を低減するキャリアブロック層を設け、前記キャリアブロック層の両外方には導波層を設け、前記導波層をクラッド層の両外方に設け、前記活性層はサイドバリア層とこれに挟まれた量子井戸層、またはサイドバリア層とこれに挟まれた量子井戸層とバリア層の積層からなり、前記量子井戸層の組成をGayIn1-yAs(0.6 |
| 公开日期 | 1995-08-29 |
| 申请日期 | 1994-12-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80393]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三井石油化学工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石坂 祥司,室 清文,藤本 毅,等. 半導体レーザ素子. JP1995231139A. 1995-08-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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