半導体光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 尚文 |
| 发表日期 | 2000-08-04 |
| 专利号 | JP2000216495A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 選択成長により形成した活性層を含むメサ構造をエッチングすることなく導波路として用い、なおかつ厳密なエッチングレートの管理やフォトリソグラフィ時の位置合わせを必要せずに電流ブロック構造を有する埋め込み構造を形成できる、再現性、均一性およびスループットに優れた半導体光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体基板101上に、選択成長により活性層を含むメサ構造Mを形成し、このメサ構造Mの最上部にAlを含むAl含有層106を成長させる工程と、このAl含有層106を酸化させ酸化層107を形成する工程と、この酸化層107をマスクとして電流ブロック層108,109を成長させる工程と、を少なくとも含むことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2000-08-04 |
| 申请日期 | 1999-01-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80402]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 尚文. 半導体光素子の製造方法. JP2000216495A. 2000-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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