半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 日野 智公; 成井 啓修; 御友 重吾; 岡野 展賢 |
| 发表日期 | 2004-06-24 |
| 专利号 | JP2004179209A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】キャリアのオーバーフローを抑制し、かつアスペクト比が小さくなる構成の長波長域の半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】本半導体レーザ素子10は、n型GaAs基板12上に、n型下部クラッド層14、光ガイド層16、Ga1-y Iny Nz As1-z (03 のAl0.30Ga0.70As下部下層クラッド層14A、屈折率がn2 のGaAs下部中間クラッド層14B、及び屈折率がn1 のAl0.47Ga0.53As下部上層クラッド層14Cで構成されている。上部クラッド層も同じである。 下部中間クラッド層14Bの屈折率:n2 >下部上層クラッド層14Cの屈折率:n3 >下部下層クラッド層14Aの屈折率:n1 の関係が成立している。上部クラッド層も同じである。 【選択図】 図1 |
| 公开日期 | 2004-06-24 |
| 申请日期 | 2002-11-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80409]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 日野 智公,成井 啓修,御友 重吾,等. 半導体レーザ素子. JP2004179209A. 2004-06-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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