化合物半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 波多野 吾紅; 大場 康夫 |
| 发表日期 | 2001-10-19 |
| 专利号 | JP3243111B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 化合物半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 高品質のGax Aly In1-x-y Nを成長することにより、高性能の化合物半導体素子を提供することを目的とする。 【構成】 半導体レ-ザや発光ダイオ-ド等のpn接合を有する化合物半導体発光素子において、立方晶SiC基板の(111)面上にGax Aly In1-x-yN(0≦x≦1,0≦y≦1)層を、基板と対向する結晶面がNとなるように成長させる。 |
| 公开日期 | 2002-01-07 |
| 申请日期 | 1994-03-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80411]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 波多野 吾紅,大場 康夫. 化合物半導体素子. JP3243111B2. 2001-10-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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