半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 丸谷 幸利; 小林 俊雅; 近藤 憲治; 根本 和彦; 樋口 慶信 |
| 发表日期 | 2002-02-15 |
| 专利号 | JP3277711B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】高出力低しきい値で信頼性の高いリッジ導波型半導体レーザが、セルファラインで特性が均一に揃ったものが得られるように、制御性の良い製造方法を示す。 【構成】n型GaAs基板1上に、n型AlGaAsから成る第1クラッド層2、真性のAlGaAsから成る活性層3、p型AlGaAsから成る第2クラッド層4を順次形成し、さらにこの上に電流阻止層7を両側にリッジ状に形成したp型A1xGa1-xAsから成る光ガイド層5と第3クラッド層6を形成する。リッジ頂部及び電流阻止層7の全面にコンタクト層8を設ける。このようにしてリッジ導波型半導体レーザを製作する。 【効果】このように構成したリッジ導波型半導体レーザは光ガイド層5の厚さ、光ガイド層と活性層3との距離、及び電流阻止層7の組成を最適化すれば、レーザ特性はさらに高性能になるだろう。 |
| 公开日期 | 2002-04-22 |
| 申请日期 | 1994-07-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80442]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 丸谷 幸利,小林 俊雅,近藤 憲治,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP3277711B2. 2002-02-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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