半導体光集積素子
文献类型：专利
| 作者 | 青木 雅博; 佐野 博久; 鈴木 誠; 谷渡 剛 |
| 发表日期 | 2001-11-02 |
| 专利号 | JP3245940B2 |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体光集積素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は半導体光集積素子に関し、特に異種機能、異種性能を有する光素子間の高効率な光結合を極めて容易に実現する構造を提供することである。 【構成】 連続し且つ成長層厚または組成が各素子領域で異なる複数のバルク半導体層または量子井戸構造を形成し、それらの間に残留するバンドギャップエネルギーの遷移領域に電流注入することにより集積素子間の完全光結合を有する半導体光集積素子を得る。 【効果】 素子間の100%以上の実効光結合効率を実現できる。更なる効果は、量子井戸構造を集積化する複数素子に適用できるため高性能量子井戸構造光素子を同一基板上に集積化することができる。本素子を用いれば、光通信システムの長距離化を容易に実現できる。 |
| 公开日期 | 2002-01-15 |
| 申请日期 | 1992-04-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80447]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 青木 雅博,佐野 博久,鈴木 誠,等. 半導体光集積素子. JP3245940B2. 2001-11-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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