Semiconductor laser device
文献类型：专利
| 作者 | UKAI, TSUTOMU; MANNOH, MASAYA |
| 发表日期 | 2010-08-31 |
| 专利号 | US7787509 |
| 著作权人 | PANASONIC CORPORATION |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor laser device |
| 英文摘要 | In a constitution where a first clad layer is formed on a semiconductor substrate, an active layer having the strained multiple quantum well structure is formed on the first clad layer, and a second clad layer is formed on the active layer, the sum of products of strain amounts and film thickness in the active layer is set to a negative value. |
| 公开日期 | 2010-08-31 |
| 申请日期 | 2007-02-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80449]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PANASONIC CORPORATION |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | UKAI, TSUTOMU,MANNOH, MASAYA. Semiconductor laser device. US7787509. 2010-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。