半導体発光素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 阿部 弘光; 村山 実; 松本 幸生 |
| 发表日期 | 1996-03-22 |
| 专利号 | JP1996078725A |
| 著作权人 | ローム株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 特性変化やばらつきのない、優れた半導体発光素子とその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 n-GaAs基板1、n-InGaAlPクラッド層2、ノンドープInGaAlP活性層3、p-InGaAlPクラッド層4、p-AlGaAsウィンドウ層5、p-GaAsコンタクト層8をMOCVD法で連続的に結晶成長する際に、そのp型部位の成長時にZnと同時にBeをドーピングする。その後電極8、9を蒸着する。 |
| 公开日期 | 1996-03-22 |
| 申请日期 | 1994-09-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80455]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ローム株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 阿部 弘光,村山 実,松本 幸生. 半導体発光素子とその製造方法. JP1996078725A. 1996-03-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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