半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮坂 文人 |
| 发表日期 | 1995-08-18 |
| 专利号 | JP1995221386A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 レーザ端面の吸収を小さくし、光学損傷を起こす最高光出力を向上した高出力半導体レーザを歩留まりよく製造する。 【構成】 活性層がGaInP自然超格子からなり、n型のGaAs基板1、n型クラッド層2のレーザ端面近傍領域にn型不純物Siを所定濃度以上付加し、p型クラッド層6を積層成長する工程において、Siを付加した領域3上のみp型クラッド層6中にドープしたp型の不純物Znを活性層5に拡散し超格子を無秩序化し窓領域を作製する。領域3上に積層成長した層は結晶品質が低下し、Znが拡散し易くなり、クラッド層6の積層成長中に活性層中に容易に拡散し、超格子が無秩序化される。新たに熱処理をする必要がなく、端面近傍以外の活性領域にZnが拡散し、劣化させることはない。 |
| 公开日期 | 1995-08-18 |
| 申请日期 | 1994-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80478]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮坂 文人. 半導体レーザの製造方法. JP1995221386A. 1995-08-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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