光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 高木 和久 |
| 发表日期 | 2010-05-27 |
| 专利号 | JP2010118517A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】分離溝での光の反射を低減して、安定に動作することができる光半導体装置を得る。 【解決手段】光半導体装置は、光導波路コア層14を含む光半導体素子10と、光半導体素子10の上面において光導波路コア層14の延在方向に沿って並べて設けられた第1及び第2のアノード電極20,22とを備える。光半導体素子10の上面には、第1のアノード電極20と第2のアノード電極22の間において、第1のアノード電極20と第2のアノード電極22のアイソレーション抵抗を高くするために分離溝26が設けられている。分離溝26は、第1のアノード電極20側にある第1の壁面32と、第2のアノード電極22側にある第2の壁面34とを有する。第1及び第2の壁面32,34の法線Nと光導波路コア層14の延在方向との角度は6度以上90度未満である。 【選択図】図2 |
| 公开日期 | 2010-05-27 |
| 申请日期 | 2008-11-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80494]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高木 和久. 光半導体装置. JP2010118517A. 2010-05-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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