光半導体装置とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 築地 直樹 |
| 发表日期 | 1997-08-15 |
| 专利号 | JP1997214026A |
| 著作权人 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光半導体装置のしきい値を低減し、且つ、その高温動作特性を向上させる。 【解決手段】 レーザ活性層3を有する活性領域20と、非活性MFC層を有する非活性領域21とが基板1の主面に沿って順次に形成されたメサストライプ22を有する光半導体装置の構造において、メサストライプ22の埋込み層7、8を形成する際に、活性領域20では、埋込み層7、8がメサストライプ22の側部のみに、非活性領域21では、メサストライプ22の側部に加えて、その上面にも形成される。埋込み層7、8を含む半導体積層がp-n-p-n接合の電流阻止構造を形成するので、非活性領域21では、MFC層に電流が流れることが防止され、レーザとしての電流効率が向上し、そのしきい値が低減する。 |
| 公开日期 | 1997-08-15 |
| 申请日期 | 1996-01-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80501]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FURUKAWA ELECTRIC CO LTD:THE |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 築地 直樹. 光半導体装置とその製造方法. JP1997214026A. 1997-08-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。