半導体光増幅器
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 良治 |
| 发表日期 | 1996-06-21 |
| 专利号 | JP1996162712A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光増幅器 |
| 英文摘要 | 【目的】 新規な窓構造を有する半導体光増幅器を提供する。 【構成】 基板1上に形成されたメサ2と、エピタキシャル成長によりメサの段差形状を維持して形成された、下部クラッド層3、下部ガイド層4、活性層5、上部ガイド層6、上部クラッド層7、電極コンタクト層8のダブルヘテロ構造の半導体光増幅器において、基板上のメサによって生じたダブルヘテロ構造のずれにより、光導波層を形成する下部ガイド層4、活性層5、上部ガイド層6を進行する光の入出射方向にクラッド層7が位置することになり、光を透過する窓構造を形成する。図の左右端面は反射防止膜12が施された劈開面、10、11はn側電極とp側電極である。 【効果】 基板上のメサ形状を維持して形成されたダブルヘテロ構造により容易に窓構造が実現でき、しかも良好な光増幅器の特性が得られる。 |
| 公开日期 | 1996-06-21 |
| 申请日期 | 1994-12-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80508]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 良治. 半導体光増幅器. JP1996162712A. 1996-06-21. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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