半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮下 宗治; 三橋 豊; 早藤 紀生; マルクス ディートハード |
| 发表日期 | 1998-01-16 |
| 专利号 | JP1998012973A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 リッジ部の脇の部分における三重量子井戸活性層からのレーザ光の吸収を抑え、信頼性に優れたAlGaAs系半導体レーザ装置を得る。 【解決手段】 リッジ埋め込み型のAlGaAs系半導体レーザ装置の製造工程において、ヨウ素ヨウ化カリウム等のヨウ素系のエッチング液により、上クラッド層4をエッチングし- 1>方向に平行な逆メサ型のリッジ部9を形成する。次に、n型Al0.7 Ga0.3 As第1電流ブロック層6とn型GaAs第2電流ブロック層7を順次形成する。この時、リッジ部9の側面は非成長面である(111)B面により形成されているので、側面部分におけるn型Al0.7 Ga0.3 As第1電流ブロック層6のAl組成の大きな低下を抑えることができるため、リッジ部9の脇の部分における三重量子井戸活性層3からのレーザ光の吸収を抑え、レーザ特性の劣化を防ぐことが可能である。 |
| 公开日期 | 1998-01-16 |
| 申请日期 | 1996-06-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80524]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮下 宗治,三橋 豊,早藤 紀生,等. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1998012973A. 1998-01-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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