半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 富田 章久 |
| 发表日期 | 1993-06-18 |
| 专利号 | JP1993152677A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 微分利得が大きく、非線形利得パラメータの小さい高速変調可能な半導体レーザを提供する。 【構成】 活性層15をなす多重量子井戸の障壁層151にp型不純物をドープし、井戸層153との間に不純物をドープしない厚さ2nmから4nmのスペーサ層152が挿入されている。スペーサ層152の厚さを上記の範囲に設定すると電子の波動関数はスペーサ層152をこえて障壁層151までしみ出すが正孔の波動関数は井戸層153に局在して障壁層151にしみ出さない。そこで、電子だけが散乱されてバンド内緩和時間が短くなる。正孔のバンド内緩和時間は変化しないから、微分利得の値は大きいままで非線形利得パラメータだけが小さくなり最大変調周波数が増大する。 |
| 公开日期 | 1993-06-18 |
| 申请日期 | 1991-11-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80540]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 富田 章久. 半導体レーザ装置. JP1993152677A. 1993-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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