半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 西塚 満; 太田 啓之 |
| 发表日期 | 2000-11-24 |
| 专利号 | JP2000323792A |
| 著作权人 | パイオニア株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 製造歩留まりを向上させるとともに、横方向の光閉じ込めの十分な効果をあげる半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザの製造方法であって、スラブ型の活性層及びクラッド層を形成する工程と、クラッド層を介して活性層と光結合するキャップ層を形成する工程と、キャップ層の一部分を除去して溝を形成する工程と、溝の内面に電極を形成する工程と、を含む。 |
| 公开日期 | 2000-11-24 |
| 申请日期 | 1999-05-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80543]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | パイオニア株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西塚 満,太田 啓之. 半導体レーザ及びその製造方法. JP2000323792A. 2000-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。