光半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 駒崎 岩男 |
| 发表日期 | 1994-04-22 |
| 专利号 | JP1994112588A |
| 著作权人 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子 |
| 英文摘要 | 【目的】この発明は、結合損失を小さくでき、反射を抑制でき、大出力化しえることを主要な目的とする。 【構成】基板(31)上に、第1クラッド層(32),光導波路層(33)及び量子井戸活性層(34)を順次介してメサ状第2クラッド層(35)を設け、この第2クラッド層(35)を電流ブロック層(40)で埋め込んでなる光半導体素子において、少なくとも活性領域と光の伝播方向に沿う前記活性領域の両サイドのウィンドウ領域とに区分けされ、前記活性層(34)の両端面は前記活性領域とウィンドウ領域の境界でテーパ状に除去され、この除去されたテーパ状の活性層(34)には該活性層(34)のバンドギャップよりも広いテーパ状の半導体層(出力導波路層)(37)が結合され、かつ前記半導体層(37)の外側寄りの端面もテーパ状であることを特徴とする光半導体素子。 |
| 公开日期 | 1994-04-22 |
| 申请日期 | 1992-09-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80547]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 駒崎 岩男. 光半導体素子. JP1994112588A. 1994-04-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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