半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 小沢 正文; 中村 文彦; 河合 弘治 |
| 发表日期 | 1998-01-23 |
| 专利号 | JP1998022586A |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 低しきい電流密度かつ長寿命の窒化物系III-V族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 c面サファイア基板1上に、n型GaN層2、n型InGaN光吸収層3、n型AlGaNクラッド層4、n型GaN光導波層5、InGaNからなる活性層6、p型GaN光導波層7、p型AlGaNクラッド層8、p型InGaN光吸収層9およびp型GaN層10を順次積層してGaN系半導体レーザを構成する。n型InGaN光吸収層3およびp型InGaN光吸収層9のIn組成比は、InGaNからなる活性層6のIn組成比よりも大きくし、これらのn型InGaN光吸収層3およびp型InGaN光吸収層9により発光波長の光が吸収されるようにする。 |
| 公开日期 | 1998-01-23 |
| 申请日期 | 1996-06-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80555]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小沢 正文,中村 文彦,河合 弘治. 半導体発光素子. JP1998022586A. 1998-01-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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