半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 魚見 和久; 鈴木 誠; 青木 雅博; 高橋 誠 |
| 发表日期 | 1999-12-10 |
| 专利号 | JP3010817B2 |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明はマイナスデチューニング方式と同時に量子井戸構造の量子サイズ効果の両者を両立した半導体光素子を提供する。 【構成】量子井戸構造4の量子サイズ効果を十分に引き出すためにInGaAs等の量子井戸層4aの膜厚を40〜80Åに設定し、さらに活性領域4媒質の利得ピーク波長λgを約57μmに設定しマイナスデチューニングを行うために量子井戸層4aに比較的小さな歪を導入する。 【効果】本発明では、歪量Δa/a、あるいは化合物半導体を構成する元素の組成比を制御することにより、マイナスデチューニング方式と同時に量子井戸構造の量子サイズ効果の両者を両立した半導体光素子を提供することができる。その結果、しきい電流の低減、緩和振動周波数の増大、チャーピングの低減に対して効果がある。 |
| 公开日期 | 2000-02-21 |
| 申请日期 | 1991-08-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80584]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 魚見 和久,鈴木 誠,青木 雅博,等. 半導体光素子. JP3010817B2. 1999-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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