分布帰還型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 森本 卓夫 |
| 发表日期 | 2003-07-11 |
| 专利号 | JP3450169B2 |
| 著作权人 | NECエレクトロニクス株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 均一グレーティングDFBレーザでは、大きな閾値利得差が得られず、シングルモード歩留りも悪く、一方、λ/4シフトDFBレーザでは、大きな光出力が得られないという問題を解決する。 【解決手段】 AR-ARコーティングのλ/4シフトDFBレーザにおいて、位相シフト点より前方の回折格子の共振器軸方向の長さをL2,位相シフト点より後方の回折格子の共振器軸方向の長さをL1,位相シフト点より前方の回折格子の結合係数の平均値をκ2,位相シフト点より後方の回折格子の結合係数の平均値をκ1とした場合、 L12, κ1L1>κ2L2としたことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2003-09-22 |
| 申请日期 | 1997-11-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80586]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NECエレクトロニクス株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森本 卓夫. 分布帰還型半導体レーザ. JP3450169B2. 2003-07-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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