半導体レーザ素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 山本 三郎 |
| 发表日期 | 2000-09-29 |
| 专利号 | JP2000269589A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体レーザ素子の特性不良や信頼性不良を招くことなく、厚いコンタクト層を成長させる。 【解決手段】 一対のクラッド層4、6で活性層5を挟んだ半導体多層膜上に、基板温度を一定温度とし、かつ、Ga溶液の温度を基板近傍温度よりも定常的に高くした温度差LPE法により厚さ20μm以上のp型GaAsコンタクト層9を成長させる。ZnまたはMgのドーピング濃度を層厚方向に均一にできるので、成長開始時のキャリア濃度を高くしなくても、p型電極10とオーミックコンタクトを取るために十分な表面キャリア濃度が得られる。さらに、活性層5が厚さ10nm以下の量子井戸層を含む場合には、p型GaAsコンタクト層9を基板温度700℃以下の温度差LPE法により成長させる。ZnまたはMgの量子井戸層への拡散を少なくできるので、量子井戸の破壊による特性劣化を回避することができる。 |
| 公开日期 | 2000-09-29 |
| 申请日期 | 1999-03-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80595]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 三郎. 半導体レーザ素子及びその製造方法. JP2000269589A. 2000-09-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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