半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 竹見 政義 |
| 发表日期 | 2006-04-20 |
| 专利号 | JP2006108715A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【課題】レーザ特性を悪化させずに素子抵抗を低減できる半導体レーザ装置を提供する。 【解決手段】p型AlGaInPクラッド層とn型AlGaInPクラッド層の間に活性層を備え、p型AlGaInPクラッド層上にp型GaInPバンド不連続緩和層を有し、リッジ導波路を構成するリッジ部分のp型AlGaInPクラッド層とp型GaInPバンド不連続緩和層との間に、複数のAlGaInPポテンシャルバリヤ抑制層を形成し、AlGaInPポテンシャルバリヤ抑制層の膜厚をp型GaInPバンド不連続緩和層より薄く設定し、かつp型GaInPバンド不連続緩和層と複数のAlGaInPポテンシャルバリヤ抑制層の合計の膜厚を、0.1μm以下とし、p型AlGaInPクラッド層及び各AlGaInPポテンシャルバリヤ抑制層のAlの含有量を、p型GaInPバンド不連続緩和層に近い層ほど少なくした。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2006-04-20 |
| 申请日期 | 2006-01-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80615]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹見 政義. 半導体レーザ装置. JP2006108715A. 2006-04-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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