半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 森 浩; 長島 靖明; 金谷 康宏; 菊川 知之; 中野 好典 |
| 发表日期 | 2003-10-10 |
| 专利号 | JP3481458B2 |
| 著作权人 | アンリツ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 p型ドーパントとしてZnを用いた場合ても、十分なキャリアブロッキングを行いつつZnの活性層への拡散を防止し、かつp型クラッド層での光吸収を最小限に抑えて高発光効率、高出力を得ることができる。 【解決手段】 n型半導体基板(1)上に、活性層(3)及びp型クラッド層(5,6,7)を有する半導体レーザにおいて、活性層よりp型クラッド層側のp型不純物の濃度分布が、活性層の端から50乃至250nm離れた位置に極大値を有する半導体レーザ。 |
| 公开日期 | 2003-12-22 |
| 申请日期 | 1998-05-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80617]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | アンリツ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 森 浩,長島 靖明,金谷 康宏,等. 半導体レーザ. JP3481458B2. 2003-10-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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