半導体レーザ装置およびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 植木 伸明; 布施 マリオ; 瀬古 保次; 中山 秀生; 村上 朱実; 福永 秀樹; 乙間 広己 |
| 发表日期 | 1996-12-24 |
| 专利号 | JP1996340148A |
| 著作权人 | FUJI XEROX CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置およびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 導波路損失が小さくかつ電流狭窄層によるレーザ光の吸収がなく、高効率の半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 電流狭窄層6を酸化されにくい材料系からなる超格子で構成するとともに導波路層4も超格子で構成し、電流狭窄層6の実効的な禁制帯幅がクラッド層7のそれよりも大きくなるように構成するとともに導波路層4の実効的な禁制帯幅がクラッド層7の禁制体幅よりも小さくなるように構成したことを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1996-12-24 |
| 申请日期 | 1995-06-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80619]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI XEROX CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 植木 伸明,布施 マリオ,瀬古 保次,等. 半導体レーザ装置およびその製造方法. JP1996340148A. 1996-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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