超格子構造体
文献类型：专利
| 作者 | 角野 雅芳 |
| 发表日期 | 1995-07-28 |
| 专利号 | JP1995193326A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 超格子構造体 |
| 英文摘要 | 【目的】 キャリアのオーバーフローを抑制し入射電子またはホールを有効に閉じ込める事を目的とする。 【構成】 バンドギャップの異なる2種類の半導体層を組み合わせ、これらの半導体層の厚さ及び真空準位を入射電子またはホールの反射波が位相を強め合うように構成した超格子構造体であって、バンドギャップの大きい方の半導体層に、バンドギャップの小さい方の半導体層より多くのドーパントをドーピングすることを特徴とする超格子構造体。 |
| 公开日期 | 1995-07-28 |
| 申请日期 | 1993-12-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80629]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 角野 雅芳. 超格子構造体. JP1995193326A. 1995-07-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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