半導体発光素子およびその製法
文献类型：专利
| 作者 | 松本 幸生; 中田 俊次; 尺田 幸男 |
| 发表日期 | 1998-12-04 |
| 专利号 | JP1998321903A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子およびその製法 |
| 英文摘要 | 【課題】 高輝度の半導体発光素子およびそれを得るための製法を提供する。 【解決手段】 n形クラッド層3とp形クラッド層5とにより活性層4が挟持される発光層形成部11を有する半導体発光素子であって、前記n形クラッド層の前記活性層側のキャリア濃度がノンドープもしくは5×1017cm-3以下で、前記活性層と反対側のキャリア濃度が7×1017〜7×1018cm-3に形成されている。 |
| 公开日期 | 1998-12-04 |
| 申请日期 | 1997-05-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80641]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 松本 幸生,中田 俊次,尺田 幸男. 半導体発光素子およびその製法. JP1998321903A. 1998-12-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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