半導体レーザー装置
文献类型：专利
| 作者 | 上野山 雄 |
| 发表日期 | 1995-09-26 |
| 专利号 | JP1995249826A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザー装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 低しきい値電流動作が可能で、消費電力の低減及び長寿命化を図ることのできる半導体レーザー装置を実現する。 【構成】 ZnSeからなる井戸層11を有する多重量子井戸16を光ガイド層13で挟み、さらにZnMgSSeからなるクラッド層12で挟み込むことにより、半導体レーザー装置を構成する。光ガイド層13を、ZnMgSSe15と間接遷移型の半導体であるAlAs14とからなる超格子構造によって構成する。光ガイド層13の厚さを1000オングストロームとし、多重量子井戸16における井戸層11の幅を50オングストローム、バリア層の幅を60オングストロームとする。 |
| 公开日期 | 1995-09-26 |
| 申请日期 | 1994-03-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80645]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 上野山 雄. 半導体レーザー装置. JP1995249826A. 1995-09-26. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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