半導体レ—ザ
文献类型：专利
| 作者 | 中野 純一; 天野 利昌 |
| 发表日期 | 1994-03-04 |
| 专利号 | JP1994061579A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レ—ザ |
| 英文摘要 | 【目的】 半導体基板上に第1のクラッド層を介して活性層と第2のクラッド層とが積層して形成され且つメサ部を形成している半導体積層体を有し、上記メサ部が埋込層によって埋込まれている構成を有する電流狭窄型の半導体レ—ザにおいて、発振閾値電流を低くさせることと、漏れ電流を小さくさせることとの双方を、十分満足し得るように、両立させる。 【構成】 半導体基板及び第1のクラッド層がp型を有し且つ1×1018cm-3よりも低いキャリア濃度を有し、第2のクラッド層がn型を有し、埋込層が、p型を有し且つ第1のクラッド層の半導体層に比し低いキャリア濃度を有するか、半絶縁性を有するとともに活性層の側面に接している第3の半導体層部と、その上に配され且つ第4のp型を有するとともに1×1018cm-3以上のキャリア濃度を有する半導体層部とを有する第1の半導体層部と、第1の半導体層部上及び第2のクラッド層上にそれらと接して配され且つn型を有するとともに1×1018cm-3以上のキャリア濃度を有する第2の半導体層部とを有する。 |
| 公开日期 | 1994-03-04 |
| 申请日期 | 1992-08-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80649]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中野 純一,天野 利昌. 半導体レ—ザ. JP1994061579A. 1994-03-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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