半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 野口 悦男; 松本 信一; 近藤 進; 山本 知生; 近藤 康洋; 山本 ▲みつ▼夫 |
| 发表日期 | 1994-02-04 |
| 专利号 | JP1994029617A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 横モードを規定した埋め込み形半導体発光素子において、ダブルインジェクションによるリーク電流を阻止し、電極抵抗が小さく、更には、電流狭窄及び横モードを規定するための埋め込み構造を方位に無関係に自由に設定することができ、活性層のストライプ方向を特定方向ではなく電流狭窄構造に対応して形成可能な、方向依存性のない埋め込み形半導体発光素子を提供する。 【構成】 半絶縁性高抵抗InP層3と活性層11に電流注入するためのストライプ状の電流通路を形成する工程において、半絶縁性高抵抗InP層3と接する領域に基板1と同じ導電形の半導体層10を形成し、次に、活性層を含むヘテロ構造11を成長させ、更にストライプ状の電流通路に沿って、活性層を含むヘテロ構造11をストライプ状にメサ形成し、この上に全面にわたってp形InPクラッド層12とp形電極層14を形成する素子構造とした。 |
| 公开日期 | 1994-02-04 |
| 申请日期 | 1992-07-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80653]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 野口 悦男,松本 信一,近藤 進,等. 半導体発光素子. JP1994029617A. 1994-02-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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