半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 小林 正男 |
| 发表日期 | 1993-12-10 |
| 专利号 | JP1993327113A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 リッジ部をドライエッチング法で形成し、電流ブロック領域を陽極酸化膜で形成する屈折率導波型リッジ構造の半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 複数の化合物半導体層からなる積層体上に、リッジ部20を設け、リッジ部20の上部はオーミック電極24と直接接触する部分を有している。この直接接触する部分を除いたp-AlGaAsクラッド層16の上部表面に陽極酸化膜32を具えている。この酸化膜が電流ブッロク領域を形成している。このようにして構成された半導体レーザ素子は、横モード制御の安定性が良く、屈折率導波型リッジ構造の半導体レーザ素子として、高出力特性の素子を提供することができる。 |
| 公开日期 | 1993-12-10 |
| 申请日期 | 1992-05-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80655]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 正男. 半導体レーザ素子. JP1993327113A. 1993-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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