半導体レーザ装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 渡辺 斉 |
| 发表日期 | 1993-06-18 |
| 专利号 | JP1993152678A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 初期特性に優れ、信頼性の高いリッジ型半導体レーザ装置を得る。 【構成】 III-V族であるAlGaAs系半導体で構成されるレーザ構造に対して、マスクとしてII-VI族であるZnS層6を用いて、p-GaAsキャップ層5およびp-AlGaAs上クラッド層4の途中までエッチングし、形成された溝部にn-GaAsブロック層7およびp-GaAsキャップ層5′を順次選択成長させるようにした。 【効果】 下層の半導体層にストレスを与えることのない多結晶半導体層からなるマスクを容易に形成でき、信頼性の高いリッジ型半導体レーザ装置の製造を極めて容易にできる。 |
| 公开日期 | 1993-06-18 |
| 申请日期 | 1991-11-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80657]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 渡辺 斉. 半導体レーザ装置の製造方法. JP1993152678A. 1993-06-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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