半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 棚橋 俊之 |
| 发表日期 | 1993-06-11 |
| 专利号 | JP1993145172A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、横モード制御ができ、低しきい値電流、高光出力を実現する半導体発光装置を提供することを目的とする。 【構成】n+ -GaP基板2上において、Ga0.7 In0.3 P活性層6がその上下をp-GaP上部クラッド層8及びn-GaP下部クラッド層4に挾まれたダブルヘテロ構造が形成されている。p-GaP上部クラッド層8のストライプリッジの両側の側面及び底面上に、臨界膜厚以下の厚さのGa0.6 As0.4 P吸収層10が形成され、Ga0.6 As0.4 P吸収層10上にn-GaP電流狭窄層12が埋め込んまれ、屈折率導波型構造が形成されている。p-GaP上部クラッド層8のストライプリッジ上面及びn-GaP電流狭窄層12上に、p+ -GaPコンタクト層14が形成されている。 |
| 公开日期 | 1993-06-11 |
| 申请日期 | 1991-11-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80662]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 棚橋 俊之. 半導体発光装置. JP1993145172A. 1993-06-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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