半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 勝彦 |
| 发表日期 | 1994-09-02 |
| 专利号 | JP1994244492A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 活性層へのp型不純物の拡散によるレーザ特性の劣化が抑制された半導体レーザを得る。 【構成】 SCH構造の半導体レーザにおいて、活性層4の両側に設けられた光閉込層3,5を、いずれもn型にドーピングされたものとした。 【効果】 活性層4とp型クラッド層2間に配置されたn型光閉込層5により、p型クラッド層中の不純物の活性層への拡散が抑制され、しきい値電流の上昇,効率の低下等のレーザ特性の劣化を防止できる。 |
| 公开日期 | 1994-09-02 |
| 申请日期 | 1993-02-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80664]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 勝彦. 半導体レーザ. JP1994244492A. 1994-09-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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