半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 菅原 章義 |
| 发表日期 | 2003-10-31 |
| 专利号 | JP3487785B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 III-V族化合物半導体結晶を成長させるときに針状結晶の成長を抑制できる半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 GaAs基板5上にパターンニングされたAlOx膜4を形成する。上記AlOx膜4をマスクとしてGaAs基板5上に、分子線エピタキシャル成長法を用いてGaAs成長層6,7を成長させる。上記GaAs成長層6の成長初期において、III族元素Gaのフラックス量に対するV族元素Asのフラックス量の割合であるV/IIIフラックス比を3以上とすることによって、GaAs成長層6のマイグレーション速度の速いIII族元素Gaのマイグレーションを阻害し、AlOx膜4に針状結晶が生じない。 |
| 公开日期 | 2004-01-19 |
| 申请日期 | 1999-05-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80673]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菅原 章義. 半導体素子の製造方法. JP3487785B2. 2003-10-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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