半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 冨永 浩司; 土屋 博 |
| 发表日期 | 1993-12-10 |
| 专利号 | JP1993327112A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 MOCVD法を用いて、活性層の膜厚が共振器長方向に変化する高出力構造の半導体レーザを製造する。 【構成】 InP基板1上に、MOCVD法によって、光導波路となるリッジ状の多層結晶膜を形成する際、InP基板1上には、前記多層結晶膜が形成されるべき領域を挟んで両側に、選択成長のための一対のマスク2、2を形成する。該マスク2の幅は共振器長方向に変化し、共振器端面の近傍部には細幅部22、共振器中央部には太幅部21を具えている。これによって、前記細幅部22上は薄く、太幅部21上は厚い活性層が成長する。 |
| 公开日期 | 1993-12-10 |
| 申请日期 | 1992-05-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80676]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 冨永 浩司,土屋 博. 半導体レーザの製造方法. JP1993327112A. 1993-12-10. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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