半導体発光素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 高山 徹 |
| 发表日期 | 2005-10-27 |
| 专利号 | JP2005302784A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】3元InGaNよりなるMQW活性層を用いたGaN系半導体発光素子における漏れ電流の増大を防止し、高出力動作可能かつ、長期信頼性を有する発光素子を提供する。 【解決手段】本発明の半導体発光素子は、In1-x-yGaxAlyN(0≦x、y≦1)系材料からなる第1導電型クラッド層(110)と、In1-x-yGaxAlyN(0≦x、y≦1)系材料よりなるバリア層及びIn1-xGaxN(0≦x≦1)系材料よりなる井戸層から構成される量子井戸活性層(115)と、In1-x-yGaxAlyN(0≦x、y≦1)系材料からなる第2導電型クラッド層(120)とを備え、前記各層の構成成分のモル分率が相分離を最小限に抑えるよう(x+2y)が1±0.1の範囲に選択されている。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2005-10-27 |
| 申请日期 | 2004-04-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80693]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高山 徹. 半導体発光素子及びその製造方法. JP2005302784A. 2005-10-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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