半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 白石 誠司; 石橋 晃 |
| 发表日期 | 1998-11-13 |
| 专利号 | JP1998303507A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 通電時の動作電圧の増加を抑制することにより、素子の長寿命化および信頼性の向上を図ることができるII-VI族化合物半導体を用いた半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ZnCdSe層を活性層、ZnSSe層を光導波層、ZnMgSSe層をクラッド層とするSCH構造の半導体レーザにおいて、n型ZnMgSSeクラッド層4,6の間に、n型ZnMgSSeクラッド層4,6のバンドギャップよりも小さいバンドギャップを有するn型ZnSSe光吸収層5を挿入する。n型ZnSSe光吸収層5はZnCdSe活性層6の中心からの距離が500nm以下、好適には100nm以上400nmの位置に挿入し、n型ZnSSe光吸収層5の厚さは300nm以下、好適には100nm以上300nm以下、より好適には100nm以上250nm以下とする。 |
| 公开日期 | 1998-11-13 |
| 申请日期 | 1997-04-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80709]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 白石 誠司,石橋 晃. 半導体発光素子. JP1998303507A. 1998-11-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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