半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 倉又 朗人 |
| 发表日期 | 1998-02-20 |
| 专利号 | JP1998051070A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 短波長光の発振に適したGaN系半導体を用いた半導体レーザに関し、p型電極のコンタクト抵抗が低いGaN系半導体レーザを提供することである。 【解決手段】 GaNを少なくとも成分として含むGaN系半導体を用い、活性層、n型クラッド層、p型クラッド層を含むレーザ構造と、前記p型クラッド層上に形成され、p型InNまたはp型Inx Ga1-x N(x>0.2)で形成されたp型コンタクト層とを有する。 |
| 公开日期 | 1998-02-20 |
| 申请日期 | 1996-07-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80711]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉又 朗人. 半導体レーザ. JP1998051070A. 1998-02-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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