半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竹下 達也; 須郷 満; 西谷 昭彦; 伊賀 龍三; 福田 光男 |
| 发表日期 | 1999-01-29 |
| 专利号 | JP1999026863A |
| 著作权人 | 日本電信電話株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 InGaAs/GaAs歪量子井戸レーザの長寿命化。 【解決手段】 半導体レーザの出射面を覆う端面コーティング膜の下に水素が添加された水素供給膜が設けられている。前記水素供給膜は水素が添加された窒化シリコン膜で構成されている。前記窒化シリコン膜はシランガス又はジシランガスに窒素ガス又はアンモニアガスを添加したプラズマCVD法によって作製された膜である。前記出射面と前記水素供給膜との間に非晶質シリコン膜又は多結晶シリコン膜が配置されている。 |
| 公开日期 | 1999-01-29 |
| 申请日期 | 1997-07-02 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80777]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電信電話株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹下 達也,須郷 満,西谷 昭彦,等. 半導体レーザおよびその製造方法. JP1999026863A. 1999-01-29. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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