半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 古谷 章; 近藤 真人; 穴山 親志; 菅野 真実; 堂免 恵; 棚橋 俊之 |
| 发表日期 | 1993-04-02 |
| 专利号 | JP1993082892A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 本発明は、半導体レーザ及びその製造方法に関し、内部損失及びレーザビームの非点收差を小さくすることができるとともに、電流閉じ込めを良好にすることができる他、セルファラインプロセスでレーザ構造を形成することができ、製造歩留りを良好にすることができる半導体レーザ及びその製造方法を提供することを目的とする。 【構成】 第1導電型の化合物半導体基板1上にストライプ状の順テーパ斜面を有する溝2が形成され、該基板1上に該溝2部の形を実質的に転写するように少なくとも第1導電型のクラッド層4、活性層5及び該溝2部に対応する領域上にリッジ構造を有する第2導電型のクラッド層6が形成され、該リッジ側部に第1導電型の電流狭窄層9が形成されてなるように構成する。 |
| 公开日期 | 1993-04-02 |
| 申请日期 | 1991-09-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80790]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 古谷 章,近藤 真人,穴山 親志,等. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1993082892A. 1993-04-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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