自励発振型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 平田 照二; 内田 史朗 |
| 发表日期 | 2003-05-16 |
| 专利号 | JP3427649B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 高温動作時や高出力動作時にも安定に自励発振をすることが可能な自励発振型半導体レーザを提供する。 【解決手段】 活性層3上にp型AlGaAsクラッド層4、p型AlGaAsキャリアトラップ層5、p型AlGaAsクラッド層6、p型GaAs吸収層7およびp型AlGaAsクラッド層8を順次積層して設ける。p型AlGaAsクラッド層4,6,8をAl0.5 Ga0.5 Asにより構成し、p型AlGaAsキャリアトラップ層5をAl0.1 Ga0.9 Asにより構成する。p型GaAs吸収層7のバンドギャップを活性層3のGaAs井戸層3aからの光のエネルギー以下とし、p型AlGaAsキャリアトラップ層5のバンドギャップをGaAs井戸層3aからの光のエネルギーよりも大きくする。 |
| 公开日期 | 2003-07-22 |
| 申请日期 | 1996-11-29 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80795]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 平田 照二,内田 史朗. 自励発振型半導体レーザ. JP3427649B2. 2003-05-16. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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