半導体発光素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 河角 孝行; 白石 誠司; 奥山 浩之; 中野 一志 |
| 发表日期 | 1998-01-23 |
| 专利号 | JP1998022587A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 転位や欠陥のダングリングボンドを終端させ発光強度の低下を防止することができる半導体発光素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 固体ソース分子線エピタキシー法により基板1の上に複数のII-VI族化合物半導体層を成長させ半導体発光素子を製造する。複数のII-VI族化合物半導体層のうち活性層に該当する層およびガイド層に該当する層を成長させる際に、水素をプラズマ発生室24によりプラズマ化してあるいはガスクラッキングセル27により原子状としてあるいは分子状のまま照射する。水素のバックグランドプレッシャは5×10-6torrとする。なお、II-VI族化合物半導体層のうちp型導電層に該当する層を成長させる際には水素を照射しない。 |
| 公开日期 | 1998-01-23 |
| 申请日期 | 1996-07-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80803]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 河角 孝行,白石 誠司,奥山 浩之,等. 半導体発光素子の製造方法. JP1998022587A. 1998-01-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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