半導体レーザ素子とその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大久保 典雄; 菊田 俊夫 |
| 发表日期 | 1994-12-02 |
| 专利号 | JP1994334260A |
| 著作权人 | 古河電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子とその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 光ファイバとの結合効率が注入電流に依存せず、安定した半導体レーザ素子を提供する。 【構成】 半導体基板1上に、下クラッド層3、下光閉じ込め層4、活性層5、上光閉じ込め層6、上クラッド層7を順次積層し、活性層5上にリッジ導波路を形成したpn接合を有する半導体レーザ素子において、リッジ部直下のpn接合を上クラッド層7と下光閉じ込め層4の間に設け、リッジ部直下以外のpn接合を下クラッド層4内に設ける。 |
| 公开日期 | 1994-12-02 |
| 申请日期 | 1993-05-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80809]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 古河電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大久保 典雄,菊田 俊夫. 半導体レーザ素子とその製造方法. JP1994334260A. 1994-12-02. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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