半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 内田 徹 |
| 发表日期 | 1997-09-05 |
| 专利号 | JP1997232691A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 基板とクラッド層とが格子不整合を有する半導体レーザに関し、クラッド層に禁制帯幅の大きな、III族元素としてAlを含むIII-V族半導体を用いた1μm帯用半導体レーザを提供することである。 【解決手段】 第1の格子定数を有し、主表面を有するIII-V族半導体の基板と、前記主表面上に配置され、前記第1の格子定数と較べ、0.5%以上異なる第2の格子定数を有するIII-V族半導体のクラッド層と、活性層と、活性層の両側に配置され、III族元素としてAlを含み、活性層より屈折率の低い光閉じ込め層とを含み、前記クラッド層上に配置されたIII-V族半導体の光伝搬層と、前記主表面と前記クラッド層との間に配置され、前記第1の格子定数と前記第2の格子定数の間で徐々に格子定数が変化する組成勾配層を含み、表面にクロスハッチ状の段差を有するIII-V族半導体の格子緩和層と、前記格子緩和層と前記クラッド層との間に配置され、V族元素として燐を含むIII-V族半導体の中間層とを有する半導体レーザを提供する。 |
| 公开日期 | 1997-09-05 |
| 申请日期 | 1996-07-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/80816]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内田 徹. 半導体レーザ. JP1997232691A. 1997-09-05. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。